Роберт Бауер

Фотографія Роберт Бауер (photo Robert W. Bower)

Robert W. Bower

  • День народження: 12.06.1936 року
  • Вік: 80 років
  • Місце народження: Санта-Моніка, Каліфорнія, США
  • Громадянство: США

Біографія

Польові транзистори з самосовмещенным затвором, незважаючи на досить незрозумілу назву, відіграють велику роль у сучасній електротехніці. За право вважатися винахідником цих транзисторів у свій час йшли неабиякі баталії в судах; у підсумку переможцем був визнаний американський фізик Роберт Бауер.

Американський вчений, фізик. Найбільше відомий як творець польових транзисторів з самосовмещенным затвором.

Народився Роберт Бауер в Санта-Моніці, Каліфорнія (Santa Monica, California); в Каліфорнії ж він прожив майже все своє життя – не рахуючи 4 років, проведених на службі у ВПС. Відслуживши своє, Бауер поступив в Каліфорнійський Університет (University of California, Berkeley); в 1962-му він отримав ступінь бакалавра з фізики, в 1963-му – ступінь магістра електротехніки.

У 1965-му Бауер влаштувався в Дослідну лабораторію Хьюза (Hughes Research Laboratories) в Малібу, Каліфорнія (Malibu, California). У 1973-му Роберт став доктором наук з прикладної фізики. На даний момент Бауер занимат професорський пост в Каліфорнійському Університеті Девіса (University of California, Davis); викладає тут він вже протягом 14 років.

Ще в лабораторії Хьюза Бауер багато часу витратив на пошуки елемента, що ідеально підходить до будь-якої схеми. Загальна ідея такого елемента була запропонована ще в 1920-му Лилиенфельдом (Lilienfeld), однак реалізувати в ті часи задум не вдалося; в кінці 50-х була придумана планарна технологія, а пізніше і перші інтегральні схеми.

Подальшим розвитком початкових ідей стала МДН-структура; розробка Бауера дозволила перейти на новий рівень – з допомогою самосовмещенных затворів. Патент на свій винахід Бауер отримав 14 жовтня 1969-го.

Пізніше, однак, з’явилися вчені, приписывавшие пальму першості в цій галузі собі. Кервин (Kerwin), Клейн (Klein) і Сарас (Sarace) стверджували, що саме вони є справжніми творцями самосовмещенных затворів. На відновлення точної хронології подій пішло чимало часу; в кінцевому підсумку було показано, що в 1966-му Бауер і Ханс Ділл (Hans G. Dill) доповідалися за самосовмещенным затворам на конференції ‘International Electron Device Meeting’ у Вашингтоні (Washington D. C). Бауер отримав на свій винахід патент під номером 3,472,712; його конкуренти демонстрували патент номер 3,475,234.

Після довгих розглядів з’ясувалося, що Ділл подав заявку на патент схожої технології на день раніше Бауера; номер патенту – 3,544,3999 – поставив у спорах досить жирну крапку. Розгляду самі по собі в черговий раз продемонстрували недосконалість існуючої патентної системи і змусили суд визнати, що теза ‘патент належить тому, хто перший створив винахід, а не того, хто його перший запатентував’ в даний момент і в даній правовій системі є невірним.

Роботу з різного роду транзисторами – і, зокрема, з МДН-транзисторами – Роберт продовжував і далі. Загалом за свою кар’єру він опублікував понад 80 статей, запатентував більше 28 винаходів і взяв участь у написанні 3 книг. Порівняно недавно Бауер приєднався до проекту ‘Integrate Vertical Modules’; зараз він працює над тривимірними сверхплотными структурами. За свою активну наукову діяльність Бауер удостоївся ряду престижних премій. У 1997-му винахід польових транзисторів з самосовмещенным затвором принесло йому місце в Національному Залі Винахідницької Слави (National Inventors Hall of Fame). У 1999-му Роберт отримав місце в Національній Інженерної Академії (National Academy of Engineering) – що донині є однією з найпрестижніших нагород, якій в принципі може удостоїтися інженер. Роберт Бауер продовжує свої наукові дослідження і зараз; цілком можливо, що в майбутньому список його нагород неабияк зросте.